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» 型号"BFP 540ESD H6327"的供应信息
BFP 540ESD H6327 全国供应商、价格、PDF资料
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BFP 540ESD H6327详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):5V
频率_转换:30GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
增益:21.5dB
功率_最大:250mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,3.5V
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商设备封装:PG-SOT343-4
包装:Digi-Reel®
BFP 540ESD H6327详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):5V
频率_转换:30GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
增益:21.5dB
功率_最大:250mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,3.5V
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商设备封装:PG-SOT343-4
包装:剪切带 (CT)
BFP 540ESD H6327详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):5V
频率_转换:30GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
增益:21.5dB
功率_最大:250mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,3.5V
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商设备封装:PG-SOT343-4
包装:带卷 (TR)
BFP 540ESD H6327供应商
BFP 540ESD H6327
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
BFP 540ESD H6327
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
BFP 540ESD H6327
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
BFP 540ESD H6327
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
BFP 540ESD H6327
北京显周科技有限公司
13910052844(微
BFP 540ESD H6327
北京显周科技有限公司
13910052844(微
BFP 540ESD H6327
北京三盛恒业电子有限公司
028-87781882
查看更多BFP 540ESD H6327的供应商
C1812C684K5RACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.68UF 50V 10% X7R 1812
BFG92A/X,215
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS NPN 15V 25MA 5GHZ SOT143B
BUK762R4-60E,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
BR24L01AFVM-WTR
存储器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽) IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8MSOP
C0603C153G4GAC7867
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 16V 2% NP0 0603
BMI-C-001
RF配件 Laird Technologies EMI 0603(1608 公制) CONTACT BECU 3.1X2.5MM
C0805C271K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 270PF 10V 10% X7R 0805
C1812C684M5UACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.68UF 50V 20% Z5U 1812
C0603X5R0J154M
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.15UF 6.3V 20% X5R 0201
BR24L01AF-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOP
C0603C153J5RACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 0603
BMI-C-007-01
RF配件 Laird Technologies EMI 0603(1608 公制) CONTACT BECU 3.3X1.0MM
C0805C271KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 270PF 630V 10% X7R 0805
C1812C684M5UACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.68UF 50V 20% Z5U 1812
C0603X5R0J223K
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.022UF 6.3V X5R 0201
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